在高溫下使摻雜金屬(又稱(chēng)為合金材料)和半導體晶片熔成合金來(lái)制作PN結(或形成集成電路歐姆接觸)的工藝。用合金工藝制作鍺PN結的典型工藝過(guò)程，是將摻雜金屬(如In)置于表面經(jīng)過(guò)嚴格清潔處理的半導體晶片上(如N型Ge)，在氫氣或真空中加熱至一定溫度,并維持一定時(shí)間。

　　此時(shí)，熔化的金屬和半導體晶片相接觸的那一部分材料溶入熔化了的金屬中，與金屬形成合金，溫度下降后在金屬中的半導體材料便再結晶。再結晶的半導體材料中含有豐富的摻雜金屬原子，從而改變了半導體的導電類(lèi)型(P型)，并與原來(lái)的N型晶片形成PN結(圖1)。

　　合金法形成的PN結是突變型的。在合金工藝中精確地控制合金深度和得到平坦的PN結比較困難。因此，用合金法制成的晶體三極管往往用于低頻范圍。